
紫外探測(cè)器
- GaN紫外探測(cè)器 
 - 氮化鎵(GaN)基紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋180-450 nm,具有體積小、靈敏度高、暗電流低、抗可見光和紅外干擾能力強(qiáng)、種類豐富等特點(diǎn)。 - AlGaN日盲紫外探測(cè)器 
 - 鋁鎵氮(AlGaN)基日盲紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋240-280 nm,對(duì)太陽(yáng)光無(wú)響應(yīng)、暗電流低、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。 - 圖片 - 型號(hào) - 響應(yīng)波段 - 器件面積 - 封裝類型 - 下載   - G280T01MBP - 240-280 nm - 0.2 mm2 - TO46     - G280T01LBP - 240-280 nm - 1 mm2 - TO46    
 - G270T01MBP 
 - 230-270 nm 
 - 0.2 mm2 
 - TO46 
  
 - SiC紫外探測(cè)器 
 - 碳化硅(SiC)紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋180-385 nm,具有可靠性高、暗電流低、耐高溫等特點(diǎn)。 - 圖片 - 型號(hào) - 響應(yīng)波段 - 器件面積 - 封裝類型 - 下載   - SUVAT05 - 180-385 nm - 0.25 mm2 - TO46     - SUVAT10 - 180-385 nm - 1 mm2 - TO46    
 - SUVAT30 
 - 180-385 nm 
 - 9 mm2 
 - TO39 
  
 
 
                                 
 
			

 
 
			





